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IC芯片的晶圆级射频(RF)测试

2022-11-27 05:07 已有人浏览
本文摘要:对于超薄介质,由于不存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试无法必要萃取水解层电容(Cox)。然而,用于高频电路模型则需要准确萃取这些参数。 随着业界迈进65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及仿真/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在减少。 增加用于RF技术的建议是在以下特定的假设下明确提出来:假设RF技术无法有效地应用于,特别是在是在生产的环境下,这在过去的确仍然是这种情况。

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对于超薄介质,由于不存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试无法必要萃取水解层电容(Cox)。然而,用于高频电路模型则需要准确萃取这些参数。

随着业界迈进65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及仿真/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在减少。  增加用于RF技术的建议是在以下特定的假设下明确提出来:假设RF技术无法有效地应用于,特别是在是在生产的环境下,这在过去的确仍然是这种情况。

  但是,现在新的参数测试系统需要较慢、精确、可反复地萃取RF参数,完全和DC测试一样更容易。最重要的是,通过自动校准、除去处置(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性展开参数萃取,探针认识特性的自动调整,早已需要构建RF的原始测试。这方面的发展使得不用必须RF专家来确保获得好的测试结果。在生产实验室,根据中间测试结果或者操作者必须,自动探针台和测试掌控仪需要已完成过去必须人为干预的事情。

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世界范围内,早已有7家半导体公司检验了这种用作晶圆RF生产测试的系统。  RF测试的应用于  无论你是利用III-V簇晶圆生产用作手机配件的RF芯片,还是利用硅技术生产高性能仿真电路,在研发和生产中预测最后产品的性能和可靠性,都必须晶圆级RF衍射参数(s)的测量。这些测试对DC数据是最重要的补足,相对于全然的DC测试,它用较少的测试却能获取显著更好的信息。实质上,一个两地下通道的s参数扫瞄能同时萃取电阻和电容参数,而使用常规DC方法,则必须分离测试,甚至必须分开的结构以分离出来工艺掌控必须的信息。

  功放RF芯片的功能测试是这种性能的另外一种应用于。这些器件非常复杂,然而价格波动大。生产中高频高压的测试条件回避了一般来说妨碍晶圆级测试的功耗问题。也不不存在次品器件便宜的PCB费用。

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未知良品芯片技术也可以应用于晶圆级测试中,它需要显著改良用于RF芯片的模块的良率。  芯片制造商也可以利用晶圆级RF测试来萃取各种高性能仿真和无线电路的品质因数。比如滤波器、混频器以及振荡器。

SoC(System-on-chip)器件制造商期望这种子电路测试技术需要减少总体的测试成本。  130nm节点以下的高性能逻辑器件中,密切相关厚SiO2和低介电常数(high-k)栅介质的等效水解层厚度(EOT)十分关键。

RF测试在介电层的准确建模方面扮演着了最重要角色,它需要去杀掉宿主元件,而这种宿主效应在传统的二元模型中将妨碍C-V数据的准确回应。中高频(MFCV,HFCV)电容测量技术不有可能因为仪器而对测试引进串联电阻。


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